क्वार्ट्ज वेफर सब्सट्रेट
क्वार्ट्ज वेफर सबस्ट्रेट्स हे प्रामुख्याने उच्च-प्युरिटी क्वार्ट्ज (SiO₂) चे बनलेले वेफर्स आहेत, जे सेमीकंडक्टर, ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स, मायक्रो-इलेक्ट्रोमेकॅनिकल सिस्टम (MEMS), ऑप्टिकल उपकरणे आणि इतर फील्डमध्ये मोठ्या प्रमाणावर वापरले जातात.
वर्णन
साहित्य गुणधर्म
- उच्च शुद्धता:सामान्यत: सिंथेटिक क्वार्ट्जपासून बनवलेले (उदा., फ्यूज्ड सिलिका), अत्यंत उच्च शुद्धता (99.99% पेक्षा जास्त किंवा समान) आणि डिव्हाइसच्या कार्यक्षमतेवर परिणाम होऊ नये म्हणून किमान अशुद्धता.
- थर्मल स्थिरता:थर्मल विस्ताराचे कमी गुणांक (≈0.55×10⁻⁶/ डिग्री ) आणि उच्च-तापमान प्रतिरोध (मृदुता बिंदू ~1600 अंश), उच्च-तापमान प्रक्रियेसाठी योग्य.
- ऑप्टिकल कामगिरी:ब्रॉड ट्रान्समिशन रेंज (UV ते IR), अपवादात्मक UV ट्रान्समिटन्ससह, फोटोमास्क, लेन्स इ.साठी आदर्श.
- रासायनिक जडत्व:ऍसिड आणि अल्कलीस (हायड्रोफ्लोरिक ऍसिड वगळता) प्रतिरोधक, ओले खोदकाम प्रक्रियेसाठी योग्य.
- इलेक्ट्रिकल इन्सुलेशन:High resistivity (>10¹⁶ Ω·cm), इन्सुलेट सब्सट्रेट्स किंवा उच्च-वारंवारता उपकरणांसाठी आदर्श.
अर्ज
सेमीकंडक्टर मॅन्युफॅक्चरिंग
- फोटोमास्क सबस्ट्रेट्स
- EUV लिथोग्राफी घटक
- वेफर प्रक्रिया करणारे वाहक
फोटोनिक्स आणि ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स
- ऑप्टिकल वेव्हगाइड सबस्ट्रेट्स
- लेसर डायोड माउंटिंग
- क्वांटम संगणन घटक
विशेष अनुप्रयोग
- MEMS रेझोनेटर बेस
- स्पेस टेलिस्कोप ऑप्टिक्स
- उच्च-ऊर्जा लेसर प्रणाली
उत्पादन प्रक्रिया
- कच्चा माल संश्लेषण:वाफ साचून (उदा. SiCl₄ ऑक्सिडेशन) किंवा नैसर्गिक क्वार्ट्जच्या शुद्धीकरणाद्वारे उत्पादित.
- वितळणे आणि तयार होणे:उच्च-तापमान वितळणे आणि त्यानंतर इंगॉट्समध्ये थंड होणे किंवा थेट रॉड्समध्ये रेखांकन करणे.
- कटिंग:डायमंड वायर सॉ किंवा लेझर कटिंग वापरून पातळ वेफर्समध्ये कापून टाका.
- ग्राइंडिंग आणि पॉलिशिंग:केमिकल मेकॅनिकल पॉलिशिंग (CMP) नॅनोमीटर-स्तरीय स्मूथनेस प्राप्त करते.
- स्वच्छता आणि तपासणी:कण आणि धातूचे दूषित पदार्थ काढून टाकणे, त्यानंतर दोष आणि पॅरामीटर चाचणी.
गुणधर्म
|
भौतिक गुणधर्म |
मूल्ये |
|
शुद्धता |
＞99.99% |
|
घनता |
2.2g/cm3 |
|
पारदर्शकता |
＞90% |
|
मोहस कडकपणा |
5.5--6.5 |
|
विरूपण बिंदू |
1280 अंश |
|
सॉफ्टनिंग पॉइंट |
1750 अंश |
|
एनीलिंग पॉइंट |
1250 अंश |
|
विशिष्ट उष्णता (20 - 350 अंश ) |
670J/kg पदवी |
|
थर्मल चालकता (20 अंश) |
1.4W/m पदवी |
|
उष्णता चालकता (w/mk, 1000 अंश) |
1.0-1.2 |
|
अपवर्तक निर्देशांक |
1.4585 |
|
थर्मल विस्ताराचे गुणांक |
5.510 -7सेमी/सेमी पदवी |
|
गरम - कार्यरत तापमान |
1750--2050 अंश |
|
अल्पकालीन - सेवा तापमान |
1450 अंश |
|
दीर्घकालीन - सेवा तापमान |
1100 अंश |
|
रासायनिक गुणधर्म |
मूल्ये |
|
ऍसिड प्रतिरोधक |
मजबूत आम्ल (HF वगळता), मजबूत अल्कली, सेंद्रिय द्रावण |
|
उच्च तापमान गंज प्रतिरोधक |
उत्कृष्ट |
|
धातूची अशुद्धता सामग्री |
5 पीपीएम |
|
विद्युत गुणधर्म |
मूल्ये |
|
प्रतिरोधकता |
7107Ω.सेमी |
|
इन्सुलेशन ताकद |
250~400Kv/सेमी |
|
डायलेक्ट्रिक स्थिरांक |
3.7~3.9 |
|
डायलेक्ट्रिक शोषण गुणांक |
＜410-4 |
|
डायलेक्ट्रिक नुकसान गुणांक |
＜110-4 |
|
यांत्रिक गुणधर्म |
मूल्ये |
|
संकुचित शक्ती |
1100MPa |
|
झुकण्याची ताकद |
67MPa |
|
तन्य शक्ती |
48MPa |
|
पॉसन्सचे प्रमाण |
0.14~0.17 |
|
यंगचे मॉड्यूलस |
72000MPa |
|
कातरणे मॉड्यूलस |
31000MPa |
वारंवार विचारले जाणारे प्रश्न
Q1: उपलब्ध जास्तीत जास्त क्वार्ट्ज वेफर सब्सट्रेट्सचा आकार किती आहे?
A: R&D साठी 450mm प्रोटोटाइपसह 300mm व्यासापर्यंतचे मानक उत्पादन.
Q2: आपण सानुकूलित जाडी प्रोफाइल प्रदान करू शकता?
A: होय - आम्ही उत्पादन करू शकतो:
- वेज्ड वेफर्स (लेसर ऍप्लिकेशन्ससाठी)
- अचूक टॅपर्ड डिझाइन
- मेसा-संरचित पृष्ठभाग
Q3: तुम्ही कोणत्या स्वच्छता प्रोटोकॉलची शिफारस करता?
A: मानक RCA स्वच्छ प्रक्रिया:
1. सेंद्रिय काढणे (H₂SO₄:H₂O₂)
2. आयनिक साफसफाई (HCl:H₂O₂)
3. HF-हायड्रोफिलिक पृष्ठभागासाठी टिकते
हॉट टॅग्ज: क्वार्ट्ज वेफर सब्सट्रेट, चीन क्वार्ट्ज वेफर सब्सट्रेट उत्पादक, पुरवठादार, कारखाना
चौकशी पाठवा
आपल्याला कदाचित आवडेल
